Entwicklung von Modellen zur Simulation des Temperaturverhaltens von MOS Feldeffekttransistoren in Analog- und Digitalschaltungen im Temperaturbereich von -55 Grad Celsius bis +150 Grad Celsius.

Saved in:
Koettnitz, J.
Krautschneider, W. / Wagemann, H. G.
Eggenstein, 1985.
101 S.
deutsch
field effect transistor : temperature effect

ZB
Open Stacks (Cellar) Call Number: BMFT-FB-T-85-167 Barcode: 6133172118 Available