Entwicklung von Modellen zur Simulation des Temperaturverhaltens von MOS Feldeffekttransistoren in Analog- und Digitalschaltungen im Temperaturbereich von -55 Grad Celsius bis +150 Grad Celsius.
Saved in:
Personal Name(s): | Koettnitz, J. |
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Krautschneider, W. / Wagemann, H. G. | |
Imprint: |
Eggenstein,
1985.
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Physical Description: |
101 S. |
Note: |
deutsch |
Keywords: |
field effect transistor : temperature effect |
Classification: |
ZB | |
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