Entwicklung von Modellen zur Simulation des Temperaturverhaltens von MOS Feldeffekttransistoren in Analog- und Digitalschaltungen im Temperaturbereich von -55 Grad Celsius bis +150 Grad Celsius.
Saved in:
| Personal Name(s): | Koettnitz, J. |
|---|---|
| Krautschneider, W. / Wagemann, H. G. | |
| Imprint: |
Eggenstein,
1985.
|
| Physical Description: |
101 S. |
| Note: |
deutsch |
| Keywords: |
field effect transistor : temperature effect |
| Classification: |
| ZB | |
|---|---|
Open Stacks (Cellar)  Call Number: BMFT-FB-T-85-167 Barcode: 6133172118
Available
|
|