APA Citation

Koettnitz, J., Krautschneider, W., & Wagemann, H. G. (1985). Entwicklung von Modellen zur Simulation des Temperaturverhaltens von MOS Feldeffekttransistoren in Analog- und Digitalschaltungen im Temperaturbereich von -55 Grad Celsius bis +150 Grad Celsius. Eggenstein.

Chicago Style Citation

Koettnitz, J., W. Krautschneider, and H. G. Wagemann. Entwicklung Von Modellen Zur Simulation Des Temperaturverhaltens Von MOS Feldeffekttransistoren in Analog- Und Digitalschaltungen Im Temperaturbereich Von -55 Grad Celsius Bis +150 Grad Celsius. Eggenstein, 1985.

MLA Citation

Koettnitz, J., W. Krautschneider, and H. G. Wagemann. Entwicklung Von Modellen Zur Simulation Des Temperaturverhaltens Von MOS Feldeffekttransistoren in Analog- Und Digitalschaltungen Im Temperaturbereich Von -55 Grad Celsius Bis +150 Grad Celsius. Eggenstein, 1985.

Warning: These citations may not always be 100% accurate.