Entwicklung von Modellen zur Simulation des Temperaturverhaltens von MOS Feldeffekttransistoren in Analog- und Digitalschaltungen im Temperaturbereich von -55 Grad Celsius bis +150 Grad Celsius.

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Koettnitz, J.
Krautschneider, W. / Wagemann, H. G.
Eggenstein, 1985.
101 S.
deutsch
field effect transistor : temperature effect
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