Rekombinatsionnye protsessy v poluprovodnikakh pri vysokikh urovnyakh vozbuzhdeniya.

Saved in:
Basov, N. G., (editor)
Moskva : Izdatel'stvo Nauka, 1981.
143 S.
sonstige
Akademiya nauk SSSR fizicheskij institut imeni P.N. Lebedeva : trudy ; T. 0128.
semiconductor : recombination
LEADER 00887nam a2200229 n 4500
001 102434
005 19970730000000.0
008 r1981
035 |a (Sirsi) a92953 
084 0 |a FJHB - Band structure and electronic transport in semiconductors  |2 ZB 
245 0 0 |a Rekombinatsionnye protsessy v poluprovodnikakh pri vysokikh urovnyakh vozbuzhdeniya. 
260 |a Moskva :   |b Izdatel'stvo Nauka,   |c 1981. 
300 |a 143 S. 
490 0 |a Akademiya nauk SSSR fizicheskij institut imeni P.N. Lebedeva : trudy ;   |v T. 0128. 
500 |a sonstige 
596 |a 1 
653 |a semiconductor : recombination 
700 1 |a Basov, N. G.,   |e Hrsg. 
710 2 |a Fiziceskij Institut Imena P. N. Lebedeva (Moskva) 
900 |a S 000368-0128'01' 
908 |a Monographie, Sammelwerk 
949 |a S 000368-0128'01'  |w LC  |c 1  |i 1082002702  |l STACKS  |m ZB  |r Y  |s Y  |t ZBB  |u 25/3/2009  |x ZB-F  |1 PRINT