This title appears in the Scientific Report :
1998
Optimierung der Schichtdickenhomogenität im Schichtsystem AlAs/GaAs in AUX-200-Reaktoren unter Verwendung von Stickstoff als Trägergas
Optimierung der Schichtdickenhomogenität im Schichtsystem AlAs/GaAs in AUX-200-Reaktoren unter Verwendung von Stickstoff als Trägergas
Saved in:
Personal Name(s): | von der Ahe, M. |
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Gauer, D. / Grimm, M. / Hardtdegen, H. H. / Wirtz, K. / Lüth, H. / Kaluza, A. | |
Contributing Institute: |
Institut für Schicht- und Ionentechnik; ISI |
Published in: |
13. Workshop des DGKK-Arbeitskreises Epitaxie von III-V Halbleitern |
Imprint: |
1998
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Conference: | Braunschweig 1998-12-08 00:00:00 |
Document Type: |
Talk (non-conference) |
Research Program: |
Halbleiterschichtsysteme und Mesoskopische Strukturen |
Publikationsportal JuSER |
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