Charakterisierung epitaktischer GaAs/AlGaAs-Schichtsysteme mittels Streuung harter Röntgenstrahlen unter streifendem Einfall sowie Röntgenbeugung
Charakterisierung epitaktischer GaAs/AlGaAs-Schichtsysteme mittels Streuung harter Röntgenstrahlen unter streifendem Einfall sowie Röntgenbeugung
In dieser Arbeit wurden mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellte GaAs/AlAs- bzw. Al$_{0.7}$Ga$_{0.3}$As-Schichtsysteme sowie das darauf befindliche Oxid durch den teilweise kombinierten Einsatz verschiedener Röntgenstreuverfahren zerstörungsfrei charakterisiert. Dabei handelte es sich um spiegel...
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Personal Name(s): | Klemradt, U. (Corresponding author) |
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Contributing Institute: |
Publikationen vor 2000; PRE-2000; Retrocat |
Imprint: |
Jülich
Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag
1994
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Physical Description: |
144 p. |
Document Type: |
Report Book |
Research Program: |
ohne Topic |
Series Title: |
Berichte des Forschungszentrums Jülich
2894 |
Link: |
OpenAccess OpenAccess |
Publikationsportal JuSER |
In dieser Arbeit wurden mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellte GaAs/AlAs- bzw. Al$_{0.7}$Ga$_{0.3}$As-Schichtsysteme sowie das darauf befindliche Oxid durch den teilweise kombinierten Einsatz verschiedener Röntgenstreuverfahren zerstörungsfrei charakterisiert. Dabei handelte es sich um spiegelnde Reflexion und diffuse Streuung unter streifendem Einfall sowie Röntgenbeugung und Absorptionsspektroskopie. Es wurden Schichtdicken, chemische Zusammensetzungen, vertikale und laterale Grenzflächenrauhigkeiten sowie die Dichten der Oxide und die kristalline Qualität der epitaktischen Schichten bestimmt bzw. abgeschätzt. Um den Einfluß systematischer Fehler zu überprüfen, wurden die Proben darüber hinaus mit einer Reihe unabhängiger Methoden charakterisiert; dabei wurde im wesentlichen eine gute Übereinstimmung bzw. Korrelation der Ergebnisse festgestellt. Im einzelnen ergaben sich folgende methodische Aspekte: Es wurde gezeigt, daß die spiegelnde Reflektivität unter streifendem Einfall sehr empfindlich auf die vertikale Rauhigkeit äußerer und innerer Grenzflächen ist. Insbesondere konnte die Rauhigkeit innerer Grenzflächen getrennt bestimmt werden, sofern sehr unterschiedliche Schichtdicken vorhanden waren. Dies wurde erfolgreich benutzt, um die Übergangsbreiten normaler und invertierter Grenzflächen in Abhängigkeit von der Substrattemperatur quantitativ zu ermitteln. Dabei erwies sich das Rauhigkeitsmodell von Névot und Croce als geeignet zur Beschreibung von Meßkurven über mehr als 6 Größenordnungen. Es stellte sich heraus, daß eine dünne Oxidschicht auf den Proben die Reflektivität unterhalb von 10$^{-3}$ beeinflußte und bei der Auswertung zu berücksichtigen war. Die Information über die Rauhigkeit der inneren Grenzflächen lag bei Reflektivitäten unterhalb von 10$^{-4}$. Dort kann Streustrahlung stark zur spiegelnd reflektierten Intensität beitragen und die Dynamik der Messung entscheidend begrenzen. Dieser die Reflexionskurve verfälschende Untergrund wurde hier je nach Energie der einfallenden Röntgenphotonen von Fluoreszenzstrahlung oder diffuser Streuung an Grenzflächenrauhigkeiten dominiert. Es wurde gezeigt, daß eine separate Bestimmung desUntergrundes die Korrektur der Meßkurven mit vertretbarem Aufwand erlaubt. Die Auswertung nicht korrigierter Reflexionskurven täuscht eine zu große Rauhigkeit der inneren und eine zu kleine Rauhigkeit der äußeren Grenzfläche vor. [...] |