Mechanismen der Desorption und Entmischung auf Indiumphosphid (110)-Oberflächen bei thermischer Behandlung
Mechanismen der Desorption und Entmischung auf Indiumphosphid (110)-Oberflächen bei thermischer Behandlung
$\textbf{Mechanismen der Desorption und Entmischung auf InP(110)Oberflächen bei thermischer Behandlung}$ Die (110)-Spaltoberflächen von p-dotiertem Indiumphosphid wurden nach Wärmebehandlung unter Langmuir-Bedingungen bei niedrigen Temperaturen untersucht. Die dabei auftretenden Veränderungen durch...
Saved in:
Personal Name(s): | Heinrich, M. (Corresponding author) |
---|---|
Contributing Institute: |
Publikationen vor 2000; PRE-2000; Retrocat |
Imprint: |
Jülich
Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag
1997
|
Physical Description: |
160 p. |
Document Type: |
Report Book |
Research Program: |
Addenda |
Series Title: |
Berichte des Forschungszentrums Jülich
3385 |
Link: |
OpenAccess OpenAccess |
Publikationsportal JuSER |
$\textbf{Mechanismen der Desorption und Entmischung auf InP(110)Oberflächen bei thermischer Behandlung}$ Die (110)-Spaltoberflächen von p-dotiertem Indiumphosphid wurden nach Wärmebehandlung unter Langmuir-Bedingungen bei niedrigen Temperaturen untersucht. Die dabei auftretenden Veränderungen durch Desorption und Entmischung wurden mit dem Rastertunnelmikroskop erstmals auf atomarer Skala erfaßt. Darauf basierend konnte eine detaillierte Beschreibung der Desorptionsmechanismen bei Temperaturen unterhalb 360°C erarbeitet werden. Die bereits bekannte preferentielle Phosphordesorption bei Wärmebehandlung oberhalb 360°C schließt an die Ergebnisse an. In einem theoretischen Teil der Arbeit wurde eine einfache Simulation für den Einfluß lokalisierter Ladungen in Rastertunnelmikroskopaufnahmen entwickelt, mit der eine qualitative Entscheidung über das Kontrastverhalten solcher Ladungen auf Oberflächen von III-V-Verbindungshalbleitern möglich ist. Grundlage der Simulation ist eine Berechnung des Tunnelstroms nach dem Tersoff-Hamann-Modell unter Berücksichtigung der genauen Lage der Fermienergie und einer spitzeninduzierten Bandverbiegung. Die Ladung wird in einer WKB-Näherung als zusätzliche Bandverbiegung berücksichtigt. Die Simulation enthält lediglich den Abstand zwischen Spitze und Probe als freien Parameter, er wurde zu (5±1) $\mathring{A}$ bestimmt. $\textbf{Veränderungen auf der Oberfläche}$Die verwendeten Proben aus LEC-gezogenem Indiumphosphid waren verschieden hoch (2 bzw. 8 · 10$^{18}$cm$^{-3}$) mit Zink oder Cadmium dotiert. Die Proben wurden nach der Spaltung unter Ultrahochvakuumbedingungen ($\sim$ 5 $\cdot$ 10$^{-11}$ mbar) Heizzyklen verschiedener Temperatur und Dauer unterzogen. Die Abbildung mit dem Rastertunnelmikroskop erfolgte nach dem Abkühlen auf Raumtemperatur. Auf frisch gespaltenen Proben und nach Wärmebehandlung bis 160° C wurden positiv geladene Phosphormonoleerstellen beobachtet. Teilweise bildeten sie mit den einfach negativ [...] |