This title appears in the Scientific Report :
2022
Please use the identifier:
http://dx.doi.org/10.1109/ACCESS.2022.3223657 in citations.
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Endurance of 2 Mbit Based BEOL Integrated ReRAM
Endurance of 2 Mbit Based BEOL Integrated ReRAM
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Personal Name(s): | Kopperberg, Nils (Corresponding author) |
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Wiefels, Stefan / Hofmann, Karl / Otterstedt, Jan / Wouters, Dirk J. / Waser, Rainer / Menzel, Stephan | |
Contributing Institute: |
Elektronische Materialien; PGI-7 JARA Institut Green IT; PGI-10 |
Published in: | IEEE access, 10 (2022) S. 122696 - 122705 |
Imprint: |
New York, NY
IEEE
2022
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DOI: |
10.1109/ACCESS.2022.3223657 |
Document Type: |
Journal Article |
Research Program: |
Grundlagen der Ionentransportprozesse in resistiv schaltenden Oxiden (B03) Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - Memristive Materials and Devices |
Link: |
OpenAccess |
Publikationsportal JuSER |
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