1
MOVPE von (AlGaIn)P unter dem Trägergas Stickstoff für LED-Strukturen [E-Book] /
2
Metallorganische Molekularstrahlepitaxie von InP auf GaAs-Substraten für die Herstellung metamorpher Hochfrequenztransistoren [E-Book] /
3
GaN/Al(Ga)N heterostructures : MBE growth, electronic properties and polarization fields [E-Book] /
4
International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. 11 : IPRM 1999 : May 16-20, 1999 Congress Centrum Davos, Davos, Switzerland : postdeadline papers, /
Book
5
Reaction and transport processes in OMCVD : selective and group III-nitride growth /
Book
Subject (ZB): ...thin film...
6
Rastertunnelmikroskopie an III-V-Halbleitern : Nanostrukturierung und lokal angeregte Lumineszenz /
Book
...FHAB - Surface and thin film characterization...
7
International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. 11 : IPRM 1999 : May 16-20, 1999 Congress Centrum Davos, Davos, Switzerland : conference proceedings /
Book
8
Beurteilung der optischen Eigenschaften von AlGaInP hergestellt in der metallorganischen Gasphasenepitaxie unter Stickstoff- oder Wasserstoffatmosphäre [E-Book] /
9
Mechanismen der Desorption und Entmischung auf Indiumphosphid (110)-Oberflächen bei thermischer Behandlung [E-Book] /
10
Bandoffsets an Grenzflächen von hochverspannten III-V Halbleitern [E-Book] /
...FFPE - Thin film electronic properties, semiconductor interfaces...

Full text  JuSER 
11
III-V nitrides : symposium held December 2-6, 1996, Boston, Massachusetts, USA /
Book
Subject (ZB): ...thin film...
12
Gallium nitride and related materials : the first International Symposium on Gallium Nitride and Related Materials, held November 27-December 1, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A. /
Book
13
MOVPE- Schichten aus III/V- Halbleitern auf (001)-Si- Substraten /
Book
...FGK - Thin film technology, epitaxy...
14
Herstellung und Charakterisierung von Detektoren im Materialsystem AlGaAs/GaAs [E-Book] /
...FFPE - Thin film electronic properties, semiconductor interfaces...

Full text  JuSER 
15
Advanced III-V compound semiconductor growth, processing and devices: symposium: proceedings : Boston, MA, 02.12.91-05.12.91.
Book
Subject (ZB): ...film deposition...
16
Untersuchungen zur Epitaxie von Galliumarsenid mittels Elektronen- nergieverlustspektroskopie und selbstkonsistenter Bandverlaufsberechnungen [E-Book] /
17
Pseudomorphe Indium Gallium Arsenid/Gallium(Aluminium)Arsenid Heterostrukturen: Wachstum und Charakterisierung.
Book
...FFPE - Thin film electronic properties, semiconductor interfaces...
18
Liquid-phase epitaxial growth of III-V compound semiconductor materials and their device applications /
Book
...FGK - Thin film technology, epitaxy...
19
Advances in materials, processing and devices in III-V compound semiconductors: symposium : Boston, MA, 28.11.88-02.12.88.
Book
...FGK - Thin film technology, epitaxy...
20
International conference on indium phosphide and related materials for advanced electronic and optical devices 0001: proceedings : Norman, OK, 20.03.89-22.03.89.
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