1
Einfluss von Grenzflächenrauhigkeit, Ordnungseffekten und Dotierungen auf die optischen Eigenschaften von INP- basierten MOCVD- Heterostrukturen.
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Oertel, D.
1987
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MOCVD of high-K ceramic thin films for the Gbit DRAM technology [E-Book] /

Full text  1 
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Selective low pressure chemical vapor deposition of tasi2 on silicon.
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Simulation der Abscheidung von Silizium- und Silizium-Germanium-Schichten /
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Supercritical Si(1-x)Ge(x)alloy layers for optoelectronic applications grown by athmospheric pressure chemical vapor deposition [E-Book] /

Full text  JuSER 
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