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Halbleiterätzverfahren: Kinetik, Verfahrensgrundlagen und Anwendungsgebiete von nasschemischen Ätzverfahren für Silizium, Galliumarsenid, Galliumphosphid und Indiumphosphid.
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Loewe, H.
1990
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Plasmaabscheidung von mikrokristallinem Silizium : Merkmale und Mikrostruktur und deren Deutung im Sinne von Wachstumsvorgängen [E-Book] /

Full text  JuSER 
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Silicon: chemical etching.
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