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Einfluss von Grenzflächenrauhigkeit, Ordnungseffekten und Dotierungen auf die optischen Eigenschaften von INP- basierten MOCVD- Heterostrukturen.
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Optimierung der Niedrigdruckgasphasenepitaxie von Al(x)Ga(1-x)As/GaAs mit N2 als Trägergas [E-Book] /
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Untersuchung der Inselbildung im System SiGe/Si [E-Book] /
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