This title appears in the Scientific Report :
2023
Please use the identifier:
http://dx.doi.org/10.34734/FZJ-2023-03383 in citations.
Please use the identifier: http://dx.doi.org/10.1002/aisy.202300129 in citations.
A Physical Description of the Variability in Single‐ReRAM Devices and Hardware‐Based Neuronal Networks
A Physical Description of the Variability in Single‐ReRAM Devices and Hardware‐Based Neuronal Networks
Saved in:
Personal Name(s): | Funck, Carsten |
---|---|
Wiefels, Stefan / Bengel, Christopher / Schnieders, Kristoffer / Hoffmann-Eifert, Susanne / Dittmann, Regina / Menzel, Stephan | |
Contributing Institute: |
Elektronische Materialien; PGI-7 JARA - HPC; JARA-HPC JARA-FIT; JARA-FIT |
Published in: | Advanced intelligent systems, 1 (2023) S. 2300129 |
Imprint: |
Weinheim
Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA
2023
|
DOI: |
10.34734/FZJ-2023-03383 |
DOI: |
10.1002/aisy.202300129 |
Document Type: |
Journal Article |
Research Program: |
Grundlagen der Ionentransportprozesse in resistiv schaltenden Oxiden (B03) NeuroSys: "Memristor Crossbar Architekturen (Projekt A) - B" Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - Memristive Materials and Devices |
Link: |
OpenAccess |
Publikationsportal JuSER |
Please use the identifier: http://dx.doi.org/10.1002/aisy.202300129 in citations.
Description not available. |