Untersuchung heteroepitaktischer Schichten des Hochtemperatursupraleiters YBa2Cu3O(7-x) mit verschiedenen Isolatormaterialien, hergestellt durch Sauerstoff- Hochdrucksputtern
Untersuchung heteroepitaktischer Schichten des Hochtemperatursupraleiters YBa2Cu3O(7-x) mit verschiedenen Isolatormaterialien, hergestellt durch Sauerstoff- Hochdrucksputtern
Zur Realisierung von passiven und aktiven elektronischen Bauelementen auf der Basis von Hochtemperatursupraleitem ist es notwendig, epitaktische Heterostrukturen dieser Materialien in Verbindung mit anderen, nichtsupraleitenden Materialien herzustellen. In der vorliegenden Arbeit wurde deshalb erstm...
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Personal Name(s): | Soltner, Helmut (Corresponding author) |
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Contributing Institute: |
Institut für Festkörperforschung; IFF |
Imprint: |
Jülich
Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag
1994
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Physical Description: |
IV, 165 S. |
Document Type: |
Report |
Series Title: |
Berichte des Forschungszentrums Jülich
2918 |
Subject (ZB): | |
Link: |
OpenAccess |
Publikationsportal JuSER |
Zur Realisierung von passiven und aktiven elektronischen Bauelementen auf der Basis von Hochtemperatursupraleitem ist es notwendig, epitaktische Heterostrukturen dieser Materialien in Verbindung mit anderen, nichtsupraleitenden Materialien herzustellen. In der vorliegenden Arbeit wurde deshalb erstmalig das bisher fur die Herstellung von Schichten des Hochtemperatursupraleiters YBaZCu307_x bzw. von halbleitenden Schichten mit perowskitartiger Struktur verwendete DC-Hochdrucksputterverfahren in reinem Sauerstoff auf isolierende Materialien erweitert, urn damit Heterostrukturen z.B. zur Herstellung von Tunnelkontakten zu realisieren. Dabei zeigte es sich, dafl die ublichen Sputterparameter wie Druck und Abstand von Target und Substrat nach einer Modifikation des Sputterkopfes im wesentlichen beibehalten werden konnen, was eine In-Situ-Herstellung von Heterostrukturen aus supraleitenden und nichtsupraleitenden Schichten erleichtert, Die Schichten wurden in situ mit Kontaktierungsmaterialien bedampft bzw. durch aufgelegte mechanische Masken mit Hilfe einer Ionenkanone bis hinunter zu 5 /Lm Breite strukturiert. Durchphotolithographische Verfahren konnten ex situ Strukturen bis hinunter zu 2 /Lm Breite hergestellt werden. Es wurden die verschiedensten Isolatormaterialien wie CaNdA104, BaTi03, SrTi03, ceo., YZ03, BaZr03 und YSZ (Yttrium-stabilisiertes Zirkonoxid) bzw. halbleitende Materialien wie PrBaZCu307_x und Ndz_x(Ce,Sr)xCu04 fur den Einsatz in Heterostrukturen mit supraleitenden Schichten getestet und durch elektrische und rnagnetische Messungen, Rontgenbeugung, Rutherford-Riickstreuung bzw. Channeling und Transmissionseiektronenmikroskopie charakterisiert |