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2002
Wachstum und Charakterisierung von AlGaN/GaN HEMTs auf Silizium-Substraten
Wachstum und Charakterisierung von AlGaN/GaN HEMTs auf Silizium-Substraten
Saved in:
Personal Name(s): | Dikme, Y. |
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Kalisch, H. / Schaefer, C. / Chern, H. M. / Szymakowski, A. / Fieger, M. / Heuken, M. / Jansen, R. H. / Javorka, P. / Marso, M. / Fox, P. T. / Kordos, P. / Lüth, H. | |
Contributing Institute: |
Institut für Halbleiterschichten und Bauelemente; ISG-1 |
Published in: |
17. Workshop der Deutschen Gesellschaft für Kristallwachstum von III/V-Halbleitern |
Imprint: |
2002
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Conference: | Magdeburg, Germany 2002-12-12 |
Document Type: |
Conference Presentation |
Research Program: |
Materialien, Prozesse und Bauelemente für die Mikro- und Nanoelektronik |
Publikationsportal JuSER |
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