This title appears in the Scientific Report :
1999
Bildung dreidimensionaler Ge-Inseln auf Si(100) untersucht mit einem Hochtemperatur-STM
Bildung dreidimensionaler Ge-Inseln auf Si(100) untersucht mit einem Hochtemperatur-STM
Saved in:
Personal Name(s): | Sulzberger, M. |
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Kästner, M. / Voigtländer, B. / Bonzel, D. I. | |
Contributing Institute: |
Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik; IGV |
Published in: |
Physikertagung : Deutsche Physikalische Gesellschaft |
Imprint: |
1999
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Conference: | Münster 1999-03-22 00:00:00 |
Document Type: |
Talk (non-conference) |
Research Program: |
Grenzflächenaspekte der Informationstechnik |
Publikationsportal JuSER |
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