This title appears in the Scientific Report :
2003
Please use the identifier:
http://hdl.handle.net/2128/180 in citations.
Effects of individual dopant atoms on the electronic properties of GaAs investigated by scanning tunneling microscopy and spectroscopy
Effects of individual dopant atoms on the electronic properties of GaAs investigated by scanning tunneling microscopy and spectroscopy
In dieser Arbeit werden die Auswirkungen von einzelnen Dotieratomen auf die lokalen elektronischen Eigenschaften von Halbleitern untersucht . Dazu wurden Rastertunnelmikroskopie- (RTM) und Spektroskopiemessungen an GaAs(110) Spaltoberflächen durchgeführt. Es wird gezeigt, daß der elektronische Überg...
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Personal Name(s): | Jäger, N. D. (Corresponding author) |
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Contributing Institute: |
Mikrostrukturforschung; IFF-IMF |
Imprint: |
Jülich
Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag
2003
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Physical Description: |
VIII, 129 S. |
Dissertation Note: |
Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2003 |
Document Type: |
Book Dissertation / PhD Thesis |
Research Program: |
Kondensierte Materie |
Series Title: |
Berichte des Forschungszentrums Jülich
4053 |
Subject (ZB): | |
Link: |
OpenAccess |
Publikationsportal JuSER |
In dieser Arbeit werden die Auswirkungen von einzelnen Dotieratomen auf die lokalen elektronischen Eigenschaften von Halbleitern untersucht . Dazu wurden Rastertunnelmikroskopie- (RTM) und Spektroskopiemessungen an GaAs(110) Spaltoberflächen durchgeführt. Es wird gezeigt, daß der elektronische Übergang an p-n Grenzflächen eine Rauhigkeit besitzt, die mit der Verteilung einzelner Dotieratome korreliert ist. Ferner werden elektrische Auswirkungen von Dotieratomclustern untersucht, physikalische Mechanismen beim Tunneln zwischen einer Rastertunnelmikroskopspitze und Galliumarsenid (110) Oberflächen bestimmt, und aufgezeigt, daß ein atomar scharfer Voranritz atomar flache Spaltflächen ermöglicht. |