This title appears in the Scientific Report :
2003
MOVPE GaN Growth: Determination of Activation Energy Using In-Situ Reflectometry
MOVPE GaN Growth: Determination of Activation Energy Using In-Situ Reflectometry
Saved in:
Personal Name(s): | Kaluza, N. |
---|---|
Steins, R. / Hardtdegen, H. / Lüth, H. | |
Contributing Institute: |
Institut für Halbleiterschichten und Bauelemente; ISG-1 |
Published in: |
18. Workshop des DGKK-Arbeitskreises Epitaxie von III/V Halbleitern |
Imprint: |
2003
|
Conference: | Bremen, Germany 2003-12-12 |
Document Type: |
Conference Presentation |
Research Program: |
Materialien, Prozesse und Bauelemente für die Mikro- und Nanoelektronik |
Publikationsportal JuSER |
Description not available. |