This title appears in the Scientific Report :
2005
Einfluss von N2 als Trägergas für GaN Wachstum im invertierten Einlass
Einfluss von N2 als Trägergas für GaN Wachstum im invertierten Einlass
Saved in:
Personal Name(s): | Steins, R. |
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Hardtdegen, H. / Kaluza, N. / von der Ahe, M. / Sofer, Z. / Cho, Y. S. | |
Contributing Institute: |
Institut für Halbleiterschichten und Bauelemente; ISG-1 Center of Nanoelectronic Systems for Information Technology; CNI |
Published in: |
Frühjahrstagung der Deutschen Physikalischen Gesellschaft = 69. Jahrestagung der Deutschen Physikalischen Gesellschaft |
Imprint: |
2005
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Conference: | Berlin, Germany 2005-03-04 |
Document Type: |
Conference Presentation |
Research Program: |
Materialien, Prozesse und Bauelemente für die Mikro- und Nanoelektronik |
Publikationsportal JuSER |
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