This title appears in the Scientific Report :
2005
Fabrication and Characterisation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors for Power Applications
Fabrication and Characterisation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors for Power Applications
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Personal Name(s): | Bernát, J. |
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Contributing Institute: |
Institut für Halbleiterschichten und Bauelemente; ISG-1 Center of Nanoelectronic Systems for Information Technology; CNI |
Imprint: |
Jülich
FZJ, Institut für Schichten und Grenzflächen
2005
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Dissertation Note: |
Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2005 |
Document Type: |
Dissertation / PhD Thesis |
Research Program: |
Materialien, Prozesse und Bauelemente für die Mikro- und Nanoelektronik |
Subject (ZB): | |
Publikationsportal JuSER |
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