MOVPE von (AlGaIn)P unter dem Trägergas Stickstoff für LED-Strukturen
MOVPE von (AlGaIn)P unter dem Trägergas Stickstoff für LED-Strukturen
Halbleiterbauelemente sind aus dem täglichen Leben nicht mehr wegzudenken. Währendbisher elektronische Bauelemente wie beispielsweise Mikrochips den Löwenanteil stellen,sind mehr und mehr auch optoelektronische Anwendungen auf dem Vormarsch. NebenHalbleiterlasern und Photodetektoren hat vor allem di...
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Personal Name(s): | Gauer, Dorothea (Corresponding author) |
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Contributing Institute: |
Publikationen vor 2000; PRE-2000; Retrocat |
Imprint: |
Jülich
Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag
2001
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Physical Description: |
VIII, 1, 124 p. |
Document Type: |
Report Book |
Research Program: |
ohne Topic |
Series Title: |
Berichte des Forschungszentrums Jülich
3909 |
Link: |
OpenAccess OpenAccess |
Publikationsportal JuSER |
Halbleiterbauelemente sind aus dem täglichen Leben nicht mehr wegzudenken. Währendbisher elektronische Bauelemente wie beispielsweise Mikrochips den Löwenanteil stellen,sind mehr und mehr auch optoelektronische Anwendungen auf dem Vormarsch. NebenHalbleiterlasern und Photodetektoren hat vor allem die Leuchtdiode (LED: light emittingdiode) in den letzten zehn Jahre insbesondere im Hinblick auf die Lichtausbeuteeine erstaunliche Entwicklung durchgemacht. Prototypen von sog. Hochleistungsleuchtdioden(ultra high brightness LED, UHB-LED) übertreffen bereits die Leuchtstärke vonGlühlampen und sind dazu noch effizienter. Außerdem kann mittlerweile der ganze sichtbareBereich des elektromagnetischen Spektrums abgedeckt werden. Damit eröffnen sichviele neue Möglichkeiten für den Einsatz von Leuchtdioden: von der Beleuchtungstechnikfür drinnen und draußen über Automobilbau und Verkehrstechnik bis hin zu tageslichttauglichenVideowänden und Fernsehen mit LED-Technologie.Zu den Materialsystemen, aus denen diese UHB-LEDs hergestellt werden, gehört der111-V-Verbindungshalbleiter (Al$_{y}$ Ga$_{1_y}$)$_{1_x}$In$_{x}$P. Er kann in einem weiten Zusammensetzungsbereichgitterangepaßt auf GaAs abgeschieden werden. Die beiden Extrema bildender direkte Halbleiter GaInP und das indirekte AlInP. Art und Größe der Bandlückekönnen daher innerhalb des Rahmens dieser beiden Materialien über den Al-Anteil maßgeschneidertwerden. Dabei wird im Bereich des für die Optoelektronik notwendigendirekten Übergangs ein Energieintervall von 1,9eV bis 2,2eV abgedeckt. Die daraus hergestelltenLEDs emittieren also bei Wellenlängen von 649nm (rot) bis 517nm (gelbgrün)vollständig im sichtbaren Spektrum mit einer Lichtausbeute wie die von Glühlampen. Fürdie Herstellung der in dieser Arbeit verwendeten LED-Struktur, einer sog. Doppelheterostruktur,werden außerdem Schichten benötigt, deren Bandlücke indirekt und größer istals die des direkten Materials. (Al$_{y}$Ga$_{1-y}$)1-xIn$_{x}$P kann auch diese Anforderung erfüllen,wobei die Energie der indirekten Bandlücke bis 2,45eV für gitterangepaßtes Al$_{0,54}$In$_{0,46}$Preicht. Damit können komplette LED-Strukturen aus ein und demselben Materialsystemhergestellt, ein Grund für die große Leistungsfähigkeit von AlGaInP-LEDs. |