1
Handbook series on semiconductor parameters. 1. Si, Ge, C Diamond, GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP, InSb.
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“...FJKC - III - V semiconductors...”
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Untersuchung des Löslichkeitsverhaltens von Silizium in Gallium Arsenid mittels Transmissionselektronenmikroskopie und Sekundärionenmassenspektroskopie [E-Book] /
“...FJKC - III - V semiconductors...”

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Semiconductors. Group IV elements and III-V compounds /
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“...FJKC - III - V semiconductors...”
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Halbleiterätzverfahren: Kinetik, Verfahrensgrundlagen und Anwendungsgebiete von nasschemischen Ätzverfahren für Silizium, Galliumarsenid, Galliumphosphid und Indiumphosphid.
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Loewe, H.
1990
“...FJKC - III - V semiconductors...”
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Bivalente Störstellen in Silizium, Germanium und Galliumarsenid.
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Roos, G.
1990
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