21
Magnetische Eigenschaften von Metallen. Teilbd C, Teil 2. Legierungen und Verbindungen von D-Elementen mit Elementen der Hauptgruppen /
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...Zahlenwerte und Funktionen aus Naturwissenschaften und Technik. Gruppe 3, Kristall- und Festkörperphysik, Neue Serie ;...
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Halbleiter. Teilbd A. Intrinsische Eigenschaften von Elementen der IV. Gruppe und von III-V-, II-VI- und I-VII-Verbindungen : Ergänzungen und Erweiterungen zu Bd III/17 /
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Magnetische Eigenschaften von Metallen. Teilbd B, Teil 1. Legierungen und Verbindungen von D-Elementen mit Elementen der Hauptgruppen /
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Kristallstrukturdaten anorganischer Verbindungen. Teil D, D1, D1 gamma. Schlüsselelemente: Si, Ge, Sn, Pb; B, Al, Ba, In, Tl; Be Schlüsselelemente Si, Ge, Sn, Pb Schlüsselelemente Ge, Sn, Pb /
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Strukturdaten der Elemente und intermetallischen Phasen. Teilbd B, Teil 2. Sulfide, Selenide, Telluride Dy-Er-Te ... Te-Zr : Ergänzung und Erweiterung zu Bd III/6 /
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Strukturdaten der Elemente und intermetallischen Phasen. Teilbd B, Teil 1. Sulfide, Selenide, Telluride Ag-Al-Cd-S ... Cu-Te-Yb : Ergänzung und Erweiterung zu Bd III/6 /
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Halbleiter. Teilbd I. Spezielle Systeme und Themen, Gesamtregister für III/17A ... I /
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Halbleiter. Teilbd H. Physik der ternären Verbindungen /
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Kristallstrukturdaten anorganischer Verbindungen. Teil D, D1. Schlüsselelemente: Si, Ge, Sn, Pb; B, Al, Ga, In, Tl; Be Schlüsselelemente Si, Ge, Sn, Pb D1 alpha Schlüsselelemente Si (Substanznummern D1 ... D1168) /
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Metalle. Teilbd B : elektronische Transportphänomene /
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Strukturdaten organischer Kristalle. Teilbd A. C ... C15 : Ergänzung zu Bd III/5 /
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Kristallstrukturdaten anorganischer Verbindungen. Teil D, D1. Schlüsselelemente: Si, Ge, Sn, Pb; B, Al, Ga, In, Tl; Be Schlüsselelemente Si, Ge, Sn, Pb D1 beta Schlüsselelemente Si (Substanznummer D1169 ... D2377) /
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Strukturdaten organischer Kristalle. Teilbd B. C16 ... C168 : Ergänzung zu Bd III/5 /
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Elastische, piezoelektrische, pyroelektrische, piezooptische, elektrooptische Konstanten und nichtlineare dielektrische Suszeptibilitäten von Kristallen : Ergänzung zu Bd III/11 /
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Halbleiter. Teilbd C. Technologie von Si, Ge und SiC /
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Metalle. Teilbd C. Elektronenzustände und Fermiflächen von Elemente : Phononenzustände, Elektronenzustände und Fermiflächen /
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Halbleiter. Teilbd G. Physik der nicht-tetraedrisch gebundenen binären Verbindungen III /
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Halbleiter. Teilbd E. Physik der nicht-tetraedrisch gebundenen Elemente und binänren Verbindungen I /
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Halbleiter. Teilbd F. Physik der nicht-tetraedrisch gebundenen Verbindungen II /
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Metalle. Teilbd B. Phononenzustände von Legierungen, Elektronenzustände und Fermiflächen von verformten Elementen : Phononenzustände, Elektronenzustände und Fermiflächen /
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