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Eine einfache zerstörungsfreie Methode zur Messung durchsichtiger dünner Schichten zwischen 10 und 600 nm /
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Maskierwirkung, Fremdstoffgehalt und Infrarotabsorption verschiedener SiO 2-Schichten /
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Einfluss von Verunreinigungen von Quarz auf die Reinheit geglühter Halbleiteroberflächen /
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Abscheidung von Siliziumdioxid-Schichten auf Germanium durch Hydrolyse und Untersuchung der Eigenschaften dieser Schichten /
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