JuLib | Articles & more - {"Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3"}

Electrochemical Formation and Metal Modification of Conducting Polymer Layers for Electrocatalytic Purposes

Komsiyska, L.
2005

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

142

Preparation of bead metal single crystals by electron beam heating

Voigtländer, B.
2005

Journal of vacuum science & technology / A, 23 (2005) S. 1535

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

143

Low-temperature orientation dependence of step stiffness on {111} surfaces

Stasevich, T. J.
2005

Physical Review B Physical review / B, 71 71 (2005 2005) 24 24, S. 245414 245414

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”
Get full text OpenAccess

144

Electrochemical Behaviour of Stepped Pd[n(11)-(110)] Electrodes: Adsorption of Sulphuric Acid Anions, Epztc and CO Oxidation

Hara, M.
2005

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

145

STM studies at 2D-nanostructures: Monoatomic high Au-islands on Au(100) and the self-assembled system oxygen on Cu(110)

Bombis, C.
2005

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

146

Adsorbate induced surface stress for (2x1)O on Cu(110) measured with an STM

Bombis, C.
2005

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

147

Spin Waves in Ultrathin Films

Ibach, H.
2005

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

148

Size of small Si and Ge Clusters on Si(111) and Ge(111) Surfaces

Asaoka, H.
2005

Surface science, 588 (2005) S. 19

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

149

Supramolecular Nanostructures of 1,3,5-Benzene-tricarboxylic Acid at Electrified Au(111)/0.05 M H2SO4 Interfaces - An in-situ Scanning Tunneling Microscopy Study

Li, Z.
2005

Langmuir, 21 (2005) S. 6915 - 6928

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”
Get full text OpenAccess

150

Single Molecules in a Low Temperature Scanning Tunnelling Microscope

Myslivecek, J.
2005

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

151

Formation and Decay of Si/Ge Nanostructures at the Atomic Level

Voigtländer, B.
2005

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

152

Formation and Decay of Si/Ge Nanostructures at the Atomic Level

Voigtländer, B.
2005

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

153

Talk (non-conference)

Formation of Si/Ge Nanostructures at the Atomic Level - Observed by STM

Voigtländer, B.
2005

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

154

Effects of Limited Growth Kinetics in Homo- and Heteroepitaxy of Semiconductors

Myslivecek, J.
2005

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

155

Formation of Si/Ge Nanostructures at the Atomic Level - Observed by STM

Voigtländer, B.
2005

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

156

Formation of Si/Ge Nanostructures at the Atomic Level - Observed by STM

Voigtländer, B.
2005

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

157

Surface Diffusion and Nucleation on Si(111) and Ge(111) 7x7 Reconstructed Surfaces

Cherepanov, V.
2005

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

158

STM Contrast between Ge and Si Atoms Incorporated in the Si(111)-3x-3-Bi Surface - Formation and Decay of Si/Ge Nanostructures at the Atomic Level

Myslivecek, J.
2005

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

159

Formation and Decay of Si/Ge Nanostructures at the Atomic Level

Voigtländer, B.
2005

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

160