JuLib | Articles & more - {"Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3"}

1

Poster

Formation and Decay of Si/Ge Nanostructures at the Atomic Level

Voigtländer, B.
2005

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

2

Conference Presentation

Formation and Decay of Si/Ge Nanostructures at the Atomic Level

Voigtländer, B.
2005

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

3

Conference Presentation

STM Contrast between Ge and Si Atoms Incorporated in the Si(111)-3x-3-Bi Surface - Formation and Decay of Si/Ge Nanostructures at the Atomic Level

Myslivecek, J.
2005

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

4

Conference Presentation

Formation and Decay of Si/Ge Nanostructures at the Atomic Level

Voigtländer, B.
2005

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

5

Conference Presentation

Surface Stress Effect on Surface Deformations by Dislocation Networks in Ge/Si(111) Epitaxy

Filimonov, S. N.
2005

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

6

Journal Article

Dislocation Networks in Conventional and Surfactant-Mediated Ge/Si(111) Epitaxy

Filimonov, S. N.
2005

Surface science, 599 (2005) S. 76 - 84

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

7

Journal Article

Growth mechanisms in Ge/Si(111) heteroepitaxy with and without Bi as a surfactant

Paul, N.
2004

Physical Review B Physical review / B, 69 69 (2004 2004) 19 19, S. 193402 193402

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”
Get full text OpenAccess

8

Contribution to a book
Contribution to a conference proceedings

Fabrication of two-dimensional Si/Ge nanowires and nanorings

Kawamura, M.
2004

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

9

Journal Article

Removal of the surfactant in Bi/Ge/Si(111) surfactant-mediated epitaxy

Paul, N.
2004

Surface science, 551 (2004) S. 80 - 90

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

10

Talk (non-conference)

Intermixing in Si/Ge nanostructures

Paul, N.
2004

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

11

Journal Article

Comparison between Surfactant-mediated Bi/Ge/Si(111) Epitaxy and Ge/Si(111) Epitaxy

Paul, N.
2004

Surface science, 564 (2004) S. 187 - 200

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

12

Journal Article

Formation of Si/Ge Nanostructures at Surfaces by Self-organization

Voigtländer, B.
2004

Journal of physics / Condensed matter, 16 (2004) S. s1535 - s1551

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

13

Conference Presentation

Nanowires and Nanorings at the Atomic Level

Voigtländer, B.
2004

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

14

Journal Article

Nanowires and Nanorings at the Atomic Level

Kawamura, M.
2003

Physical review letters, 91 (2003) S. 096102

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”
Get full text OpenAccess

15

Poster

Si/Ge Nanowires and Nanorings at the Atomic Level

Kawamura, M.
2003

“...Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien; ISG-3 Institut für Grenzflächen und Vakuumtechnologien...”

Narrow Search Results