JuLib | Articles & more - {"Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik}

1

Talk (non-conference)

Wachstum auf einer Surfactant-modifizierten Ge/Si(111) Schicht

Voigtländer, B.
2000

“...Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik; IGV Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik...”

2

Talk (non-conference)

Grundlegende Prozesse bei der Epitaxie von Si und Ge auf Silizium : STM Untersuchungen während des Wachstums

Voigtländer, B.
2000

“...Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik; IGV Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik...”

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Conference Presentation

Grundlegende Prozesse bei der Epitaxie von Si und Ge auf Silizium : STM Untersuchungen während des Wachstums

Voigtländer, B.
2000

“...Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik; IGV Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik...”

4

Journal Article

Measurement of Sb diffusion using shadow profiles created by a STM tip

Voigtländer, B.
2000

Surface science, 464 (2000) S. 131 - 144

“...Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik; IGV Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik...”

5

Journal Article

Molecular beam epitaxy of silicon : germanium nanostructures

Pchelyakov, O. P.
2000

Thin solid films, 367 (2000) S. 75 - 84

“...Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik; IGV Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik...”

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Talk (non-conference)

Fundamental processes in Si/Si and Ge/Si epitaxy studied by scanning tunneling microscopy during growth

Voigtländer, B.
2000

“...Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik; IGV Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik...”

7

Talk (non-conference)

Entfernungsmessung im Weltall

Voigtländer, B.
2000

“...Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik; IGV Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik...”

8

Journal Article

Direct obervation of sub-critical fluctuations during the formation of strained seminconductor Islands

Jesson, D. E.
2000

Physical review letters, 84 (2000) S. 330 - 333

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OpenAccess

9

Contribution to a book
Contribution to a conference proceedings

Growth and decay of germanium islands on silicon studied by high temperature STM

Voigtländer, B.
2000

“...Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik; IGV Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik...”

10

Contribution to a book
Contribution to a conference proceedings

High temperature-STM investigation of epitaxial growth of Si and Ge on silicon

Voigtländer, B.
2000

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Journal Article

Kinetically self-limiting growth of Ge islands on Si(001)

Kästner, M.
1999

Physical review letters, 82 (1999) S. 2745 - 2748

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12

Journal Article

Magic islands and barriers to attachment : a Si/Si(111)7x7 growth model

Myslivecek, J.
1999

Physical review / B, 60 (1999) S. 13869 - 13873

“...Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik; IGV Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik...”
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13

Journal Article

Scanning tunneling microscopy studies during semiconductor growth

Voigtländer, B.
1999

Micron, 30 (1999) S. 33 - 39

“...Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik; IGV Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik...”

14

Journal Article

Scanning tunneling microscopy tip shape imaging by 'shadowing' : monitoring of in situ tip preparation

Voigtländer, B.
1999

Journal of vacuum science & technology / B, 17 (1999) S. 294 - 296

“...Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik; IGV Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik...”

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Talk (non-conference)

Epitaxial growth of germanium on Si(001) studies by high temperature STM during growth

Voigtländer, B.
1999

“...Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik; IGV Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik...”

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Talk (non-conference)

High temperature-STM investigation of epitaxial growth of Ge and Si on silicon

Voigtländer, B.
1999

“...Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik; IGV Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik...”

17

Journal Article

Evolution of the strain relaxation in a Ge layer on Si(001) by reconstruction and intermixing

Voigtländer, B.
1999

Physical review / B, 60 (1999) S. R5121 - R5124

“...Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik; IGV Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik...”
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Talk (non-conference)

Bildung dreidimensionaler Ge-Inseln auf Si(100) untersucht mit einem Hochtemperatur-STM

Sulzberger, M.
1999

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19

Journal Article

Bildung dreidimensionaler Ge-Inseln auf Si(100) untersucht mit einem Hochtemperatur-STM

Sulzberger, M.
1999

Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, 34 (1999) S. O10.4

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Poster

Kombinierte REM/RTM-Apparatur zur Untersuchung nichtbenetzender Aufdampfschichten

Emundts, A.
1999

“...Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik; IGV Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik...”

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