101
Halbleiter. Teilbd E. Physik der nicht-tetraedrisch gebundenen Elemente und binänren Verbindungen I /
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102
Growth mechanisms and silicon nitride /
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Halbleiter. Teilbd A. Physik der Elemente der IV. Gruppe und der III-V Verbindungen /
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Silicon: chemical etching.
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105
Imperfections and impurities in semiconductor silicon /
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106
Epitaktische Abscheidung von monokristallinem Silizium bei reduziertem Totaldruck.
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107
Floating-zone silicon /
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Impurity doping processes in silicon.
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109
Silicon.
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110
Lifetime factors in silicon : Symposium on lifetime factors in silicon : San-Diego, CA, 15.02.79-16.02.79.
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111
The physics of selenium and tellurium : Proceedings of the international conf., Königstein, 28.-31.5.1979.
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112
Homogene Siliziumdotierung durch Neutronenbestrahlung.
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113
Kristallisation und Entmischung amorpher Germanium Legierungen.
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114
Implantation of boron in silicon.
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115
Silicon carbide 1973 : International conference on silicon carbide 0003: proceedings : Miami-Beach, FL, 17.09.73-20.09.73.
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116
Tellurium.
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117
Group IV semiconducting materials.
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118
Silicon nitride for microelectronic applications. 1 : Preparation and properties.
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119
Die Germanium- und Silizium-Zweistofflegierungen /
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120
Tellurium and the tellurides /
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